5月17日，由我校科技处、党委组织部、科协主办，物理学院承办的“西北大学创新论坛”第六百五十四讲在长安校区举行。西安电子科技大学韩根全教授应邀来校为师生做了题为“Advanced CMOS Devices: High Mobility Channel Transistors, Negative Capacitance FET, and Ferroelectric Memory”的报告。我校相关专业师生代表参加了报告会。

韩根全教授首先介绍了自己在微电子学CMOS光电器件中所做的一系列工作，指出了当前微电子学所遇到的一些瓶颈以及以后有可能需要去突破的方向，提出了研究新型器件结构的重要性。接着以MIT大学老教授为例，强调其对于器件性能指标的高标准、严要求，希望我国工程师也以这样严谨的精神去探索、积累，尽快弥补我国在芯片加工工艺方面的不足。最后，韩教授针对量子芯片和二维材料的问题给出了很有新意的解释，期间还表达了自己对于科研的一些看法。

韩根全教授的报告深入浅出，与会师生在报告中倾耳拭目，会后韩根全教授对师生的问题进行了详尽解答。此次报告学术氛围浓厚，通过交流拓展了与会师生的视野，对大家启示良多。