10月12日，由我校科技处、科协主办，物理学院承办的“西北大学创新论坛”第九百八十九讲在长安校区举行。陕西省人才计划获得者、西安电子科技大学韩根全教授应邀为我校师生做了题为“后摩尔时代微电子新器件--如何选择科研题目并取得成功”的报告。我校相关专业师生代表参加了报告会。

韩根全教授围绕高迁移率沟道晶体管、负电容晶体管、新型铁电材料、高导热衬底异质集成Ga2O3等进行了详细阐述，并介绍了高迁移率GeSn沟道MOSFET的优势：GeSn空穴迁移率远高于Si、Ge和III-V；GeSn电子迁移率高于Si和Ge；GeSn易实现Si基集成，与CMOS工艺兼容等。最后，韩根全教授鼓励在场师生踏踏实实做事，全身心投入科研工作。

报告结束后，韩根全教授详尽地解答了在场师生提出的问题。

韩根全教授作报告